1.己知带权图G=(VE),其中V=(A,B,C,D,E),邻接矩阵如下(1)画出对应的图G(2)画出图G的最小生成树
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/15 15:35:55
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1.己知带权图G=(VE),其中V=(A,B,C,D,E),邻接矩阵如下(1)画出对应的图G(2)画出图G的最小生成树
下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是:A.VB=0.7V,VE=0V,VC=0.3V B.VB=-6.7V,VE=-7.4V,VC=-4VC.VB=-3V,VE=0V,VC=6V D.VB=2.7V,VE=2V,VC=2V首先,谢谢你们的回复,不过出现了两个不同的答案,不知
判定下面三极管的工作状态,均为硅管 NPN管:VB=3.7V VC=3.3V VE=3V NPN管:VB=0.7V VC=5V VE=OVNPN管:VB=2V VC=6V VE=3VPNP管:VB=-1.7V VC=-5V VE=-1V
重力G=密度ρ×体积V×g是什么公式?其中g代表什么?
短时间里一定采纳)反应A(g)+3B(g)====2C(g)+2D(g)在四种不同情况下反应 A(g) + 3B(g) ==== 2C(g) + 2D(g) 在四种不同情况下的反应速率分别如下,其中反应速率最大的是 ( )A.v(A) = 0.15 mol·L-1·min-1B.v(B) = 0.6 m
图G=,其中V={a,b,c,d,e,f },E={(a,b),(a,c),(a,e),(b,d),(b,e),(c,e),(d,e),(d,f),(e,f)},对应边的权值依次为5,2,1,2,6,1,9,3及8.(1)画出G的图形;(2)写出G的邻接矩阵;
反应 A(g) + 3B(g) ==== 2C(g) + 2D(g) 在四种不同情况下的反应速率分别如下,其中反应速率最大的是 ( )A.v(A) = 0.15 mol·L-1·min-1B.v(B) = 0.6 mol·L-1·min-1C.v(C) = 0.4 mol·L-1·min-1D.v(D) = 0.5 mol·L-1·min-1为什么要
模拟电路 三极管 判断工作区域测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区域:1 VC=6V VB=0.7V VE=0V 2 VC=6V VB=2V VE=1.3V 3 VC=6V VB=6V VE=5.4V 4 VC=6V VB=4V VE=3.6V 5 VC=3.6V VB=4V VE=3.4V 具体怎么判断
反应:A(g)+3B(g)(可逆)=2C(g)+2D(g),在不同情况下测得其反应速率如下,其中反应速.反应A(g)+3B(g)⇔2C(g)+2D(g).在不同的情况下测得反应速率如下,其中反应速率最快的是( )A v(D)=0.4mol/(Ls)B v(C)
比较反应速率对于化学反应3W(g)+2X(g)===4Y(g)+3Z(g),下列反应速率关系中,正确的是( )A.v(W)=3v(Z) B.2v(X)=3v(Z)C.2v(X)=v(Y) D.3v(W)=2v(X)
请教几个化学题目1、25℃时,反应N2(g)+3H2(g)=2NH3(g)的△rHmθ = -93.38KJ.mol-1 ,若温度升高.则: A、 V正增加 V逆减少 B、 V正减少 V逆增加 C、 V正增加 V逆增加 D、 V正减少 V逆减少2、反应NO2(g)=
化学中的可逆反应,mA(g)+nB(g)=pC(g)+qD(g)中v(A):v(B):v(C):v(D)=m:n:p:q时v正为什么不一定等于v逆
图对于图G= ,其中 |V| =n,|E|=n+1 ,证明G中至少有一个结点的度数≥3
试证明:P→Q=〉P→(P∧Q).图G=〈V,E〉,其中V={啊,b,c,d},E={(a,b),(a,c),(a,d),(b,c),(c,d)},对应边的权值依次为6,5,2,3及8,试:(1)画出G的图形; (2)写出G的邻接矩阵;(3)求出G权最小的生成树及
测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区域:1 VC=6V VB=0.7V VE=0V2 VC=6V VB=2V VE=1.3V3 VC=6V VB=6V VE=5.4V4 VC=6V VB=4V VE=3.6V5 VC=3.6V VB=4V VE=3.4V具体的判断方法是什么,书上说:当VBE>0,Vbc
已知一个无向图G=(V,E),其中V={V1,V2,V3,V4},其邻接矩阵如下
P=FV=kmgv,其中k,m,g,v分别代表什么?
F浮=G排=mg=ρ液V排g,其中m是什么的质量?