半导体物理 受主能级被空穴占据的几率式中1/2是如何推来的呢?用Na*(1-受主能级被电子占据的几率)可以计算吗?而被电子占据的几率对应的简并因子g是多少（看清了是g哦!施主能级对应兼并因

半导体物理 受主能级被空穴占据的几率式中1/2是如何推来的呢?用Na*(1-受主能级被电子占据的几率)可以计算吗?而被电子占据的几率对应的简并因子g是多少（看清了是g哦!施主能级对应兼并因 费米能级指被电子占据几率为1/2的能级,其处于价带和导带之间.可中间不是禁带吗,怎么会有电子占据啊?前提条件：在半导体物理中,处于本征或低掺杂情况.费米能级到底怎么理解啊,感觉逻辑 半导体物理中,引入空穴的意义人们常常将空穴的概念引入半导体物理中,但实际上,一切的一切都是电子的行为,那么空穴的引入会不会在理解上带来什么困扰呢? P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中空穴一直被共价键束缚在受主离子旁,受主离子也不能移动,它怎 半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合?金属中的电子的能级是连续的,那么是不是金属中的电子都能与半导体中的空穴复合?我的说法可能有问题。也许应该叫做 半导体的费米能级 谁能明白的告诉我半导体电致发光和光致发光的区别在哪光致,应该是电子从低能级被光激发到高能级,再掉下来发光电致,应该是电子和空穴分别被注入,然后复合发光 物理中,空穴指的是什么? 有人知道半导体物理中算缺陷能级时用到的LDA算法和LDF算法是什么吗? 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 半导体物理中证明空穴电导有效质量证明：价带空穴的电导率有效质量mcp与重空穴有效质量mph*和轻空穴有效质量mpl*的关系为mcp = ( mph*3/2+ mpl*3/2 ) / ( mph*1/2 + mpl*1/2 )百度百科都说了，只是没证 在半导体中,电了导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的 杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为（ ）.A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体 半导体中空穴真的可以通过扩散作用运动吗 室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是 13个电子在三维无限深势阱中 T=0时的费米能级是多少 势阱宽度10A不用吧 我们才初学半导体物理 PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子 如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子,物质不是电中性的吗?主要是空穴,为什么说空穴导电呢?好像看到一篇资料说电子被束缚了.如下.“p”表示正电的意思.在这种半导体中,参与导