假如PN结处没有电子的扩散（不形成空间电荷区）,那么PN结还具有整流特性吗?这个字数限制太恶心了。

假如PN结处没有电子的扩散（不形成空间电荷区）,那么PN结还具有整流特性吗?这个字数限制太恶心了。 扩散运动的原动力是什么?PN结中N结中的电子扩散到P结中的动力是与P结的电磁力还是与N结内电子互斥力或两那浓度不均衡而扩散的运动力是什么? 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 二极管电子和空穴扩散为什么会产生pn结 二极管电子和空穴扩散为什么会产生pn结 PN结形成时扩散和漂移是同时进行的吗我就是想知道是先扩散形成的空间电荷层,后有漂移,还是同时进行的,就那个动态平衡不太明白 PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? 关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个 pn结加正向电流为什么不马有扩散电流,为什么要大于门槛电压才导通,不是PN结扩散电 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但 PN结电子空穴扩散到对方区域,那么电子空穴对是否会复合?如果复合 复合时电子从导带跃迁到价带时,释放出得能量为什么没有导致PN结发光? PN结的扩散电流,N区向P区 电子浓度 的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因? PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了? PN结的形成原理? 电子 二极管 模电.pn结的 “偏置”是个什么概念?