模电里电子与空穴的问题说电子的移动就相当于空穴的移动,空穴的移动就相当于正电荷的移动,那这时形成的电流是多少呢?如果光考虑电子的话,应该是dq/dt,但现在又相当于有了正电荷的移动

模电里电子与空穴的问题说电子的移动就相当于空穴的移动,空穴的移动就相当于正电荷的移动,那这时形成的电流是多少呢?如果光考虑电子的话,应该是dq/dt,但现在又相当于有了正电荷的移动 什么是电子与空穴的复合 什么是电子与空穴的复合? 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动?为什么三极管PN结中的电场能阻止两边的电子与空穴的移动? 为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动? 为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同 PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢P型区中刚开始是空穴多,但是空穴只是电子的移动形成的,当空穴与N型区中的电子复合后,N型区少了电子,自然会有带正电的离子存在,而P 本征半导体空穴为什么可以看做是载流子?书上说价点去填补空穴所以说可以看做是空穴在动.但电子的移动本生产生电流算空穴时又看成电子的去填补移动.不是重复了吗? 电流规律----一个电子离开,就产生一个空穴,后面的电子就填补空穴,疑问：电子的运动方向可向任何方向,为何就向空穴运动呢? 半导体是如何导电的半导体导电时,内部的电子,空穴和*电源提供的电子*是如何运动的,讲解的越详细越好另外半导体内空穴的移动和电子的移动本质上是否一样 电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关 三极管放大的时候这个基区向发射区发射的空穴与发射区扩散的电子会复合吗?我原来以为这个基区的空穴与发射区的电子是形成相加的关系,后来又感觉不对,应该是基区移动的空穴会减弱一 半导体中空穴的运动我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,还有一种是空穴,空穴是电子填补空位的现象,其实是电子的移动,我们假设成空穴的运动,现在假设空穴在向右运动,那么当空 消耗电能的与电子定向移动的关系是什么?是不是消耗了电能电子就不定向移动了? 三极管的集电结反偏电压为什么能导通?请详细说明电子和空穴移动的方向和原理? 二极管中电子、空穴的扩散与漂移有什么区别? 二极管中电子、空穴的扩散与漂移有什么区别? 空穴导电和电子导电的区别亟待解决