多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响

x���] �P�7$�
q%��Bj��E*�A�e��nf��]tM�����|�|��s�l�e�aB�nn��b���it�M;?8��{6��N�Y&��&C��P~lPtM����/p78&�T���x�Ȝ����
صM�(�6LR~[���NQ�қ�T��@8����k�'�_���GK aCv�鎟1^䆳2'�JS�ֵ��'<Y