本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅,然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/30 08:08:07
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本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅,然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
本征多晶硅是N型还是P型?
如晶格缺陷、界面等.
制备方法是PECVD反应形成非晶硅,然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅,然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
本征多晶硅通常指不添加第ЩA族元素和第VA族元素的多晶硅,理想状态下本征多晶硅既不是N型也不是P型,只是晶面取向不同的晶粒,掺入微量的ⅢA族元素,如硼而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷形成n型硅半导体.