绝缘栅场效应晶体管栅、源两极加正电压为什么会有垂直于硅衬底的电场?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/27 00:20:47
绝缘栅场效应晶体管栅、源两极加正电压为什么会有垂直于硅衬底的电场?
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绝缘栅场效应晶体管栅、源两极加正电压为什么会有垂直于硅衬底的电场?
绝缘栅场效应晶体管栅、源两极加正电压为什么会有垂直于硅衬底的电场?

绝缘栅场效应晶体管栅、源两极加正电压为什么会有垂直于硅衬底的电场?
在缓变沟道近似下,栅极电压的作用与源漏电压的作用是分开来考虑的:栅极电压产生垂直于硅衬底的电场,而源漏电压产生平行于沟道的电场;在栅极电压和源漏电压共同作用时,则使得沟道宽度不均匀,漏极端较窄(当源漏电压大于某一定值时,就开始在漏极端夹断).
详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

呃~电场线的方向肯定和等势面垂直啊!
不过你好像问的不是这个点~其实当漏、源极加电场后,原来的空间场强方向会变得不垂直的……所谓的垂直于衬底,只是说垂直于衬底和栅极的接触面,仅仅在穿越这个接触面时是垂直的。

当UGS>0时,栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层看书我也知道,我是说为什么加一个电压就有垂直的电场,方向为什么是垂直的?半导体表面的空间电荷可以看做是由于屏蔽垂直表面的电场而造成的,表面电场一般是由于各种表面的具体情况而引起的。如果电场的方向是驱赶载流子向体内,空间电荷区格外显著。这种情况下的空间电荷区是由载流...

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当UGS>0时,栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层

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