二氧化硅晶体中氧形成堆积,硅填充空隙,硅填了二分之一还是四分之一的四面体空隙?给别人问的,她说已经知道答案了,四分之一。也不知哪个对了,\(^o^)/~

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/05 22:53:22
二氧化硅晶体中氧形成堆积,硅填充空隙,硅填了二分之一还是四分之一的四面体空隙?给别人问的,她说已经知道答案了,四分之一。也不知哪个对了,\(^o^)/~
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二氧化硅晶体中氧形成堆积,硅填充空隙,硅填了二分之一还是四分之一的四面体空隙?给别人问的,她说已经知道答案了,四分之一。也不知哪个对了,\(^o^)/~
二氧化硅晶体中氧形成堆积,硅填充空隙,硅填了二分之一还是四分之一的四面体空隙?
给别人问的,她说已经知道答案了,四分之一。也不知哪个对了,\(^o^)/~

二氧化硅晶体中氧形成堆积,硅填充空隙,硅填了二分之一还是四分之一的四面体空隙?给别人问的,她说已经知道答案了,四分之一。也不知哪个对了,\(^o^)/~
在二氧化硅的立体结构中,每个氧原子与两个硅原子相连,也就是说只有1/2个氧原子属于一个硅.那么在它的基本结构单元里,一个硅原子连着四个氧原子,每个氧原子只有1/2是属于硅原子的,也就是一共有4乘以1/2个即2个属于一个硅了,所以是1:2.至于为什么要用1/4:1/2,楼上的已经说了.