第三周期元素X的原子要实现最外层8电子稳定结构,所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法中正确的是（）A,X元素最高价氧化物对应水化物一定

第三周期元素X的原子要实现最外层8电子稳定结构,所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法中正确的是（）A,X元素最高价氧化物对应水化物一定
第三周期元素X的原子要实现最外层8电子稳定结构,所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法中正确的是（）
A,X元素最高价氧化物对应水化物一定是强酸.
B,X的氢化物的化学式一定是H2X.
C,X的单质一定是良好的半导体材料.
D,X元素的氧化物一定能与烧碱反映.
求具体的答案和解题思路和讲解.求咯!

第三周期元素X的原子要实现最外层8电子稳定结构,所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍.下列说法中正确的是（）A,X元素最高价氧化物对应水化物一定
由题意可知
第三周期电子层电子分别是28X
又所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差
所以X>4
且等于最内层电子数的整数倍
所以X=6
也就是S(硫)
A正确
B错误 不一定
C错误
D错误SO2不能

这道题应当这样思考，
首先，由于是第三周期元素，那么最外层应该是第三层，最多八电子为稳定结构；次外层第二层最多八个电子，最内层是2个电子
然后，由题可知“所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差”次外层为8电子，最内层2电子，差为6，又知“且等于最内层电子数的整数倍”，即为2的整数倍，所以，可以是2，可以是4，如果是2的话，那么是硫（S），如果是4的话，那么是硅（Si)
分...

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这道题应当这样思考，
首先，由于是第三周期元素，那么最外层应该是第三层，最多八电子为稳定结构；次外层第二层最多八个电子，最内层是2个电子
然后，由题可知“所需电子数小于次外层和最内层的电子数之差”次外层为8电子，最内层2电子，差为6，又知“且等于最内层电子数的整数倍”，即为2的整数倍，所以，可以是2，可以是4，如果是2的话，那么是硫（S），如果是4的话，那么是硅（Si)
分析完毕，那么看四个选项，A满足S的条件（三氧化硫水合物是硫酸，强酸）而不满足Si的条件（硅酸是弱酸），B满足S的条件（硫化氢）而不满足Si的条件；C选项满足Si的条件（硅石良好的半导体）而不满足硫的条件（硫是绝缘体）；最后，D选项满足S和Si的条件（二氧化硫是酸性氧化物能和烧碱反应，和二氧化硅反应可以生成硅酸钠胶质物）
综上，选择D选项

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我同意第二位的
是 s 或者si
x 为 2 8 n
n＞2 因为要 得到的电子小于8-2 个
且为偶数个 所以为4 6
是s或si
s水化物是强酸 但是si是h2sio4 是弱的
sih4 早已深入人心了...都和ch4 比臭了
s不是那个阶梯上的 不是半导体
s03 s02 si02 都能喝 naoh 反应...

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我同意第二位的
是 s 或者si
x 为 2 8 n
n＞2 因为要 得到的电子小于8-2 个
且为偶数个 所以为4 6
是s或si
s水化物是强酸 但是si是h2sio4 是弱的
sih4 早已深入人心了...都和ch4 比臭了
s不是那个阶梯上的 不是半导体
s03 s02 si02 都能喝 naoh 反应

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即然是第三周期元素，就有三个电子层，所需电子数<次外层电子8-最内层电子2=6，最内层是2个，整数倍的话要么是2、4,结合两个线索,可以知道该元素可能是第ⅣA或第ⅥA元素,所以A的一定就错了；B中X的氢化物的化学式可能是H2X，也可能是H4X，C中的单质可能是Si、S,所以也不一定；D中的氧化物一定是非金属氧化物SiO2、SO3、SO2可以和烧碱反应，是对的。...

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即然是第三周期元素，就有三个电子层，所需电子数<次外层电子8-最内层电子2=6，最内层是2个，整数倍的话要么是2、4,结合两个线索,可以知道该元素可能是第ⅣA或第ⅥA元素,所以A的一定就错了；B中X的氢化物的化学式可能是H2X，也可能是H4X，C中的单质可能是Si、S,所以也不一定；D中的氧化物一定是非金属氧化物SiO2、SO3、SO2可以和烧碱反应，是对的。

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第三周期元素最内层电子数为2，次外层电子数为8.则可推出稳定需要2或4电子，则为Si或S
A错，Si最高价氧化物对应水化物是弱酸。
B错，Si的氢化物的化学式是SiH4
C错，S不是
D对，SiO2，SO2都能与NaOH反应