作业帮（2013•浙江）物理第20道选择 （2013•浙江）在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/30 23:19:15
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（2013•浙江）物理第20道选择 （2013•浙江）在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽
（2013•浙江）物理第20道选择
（2013•浙江）在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+（ ）
A．在内场中的加速度之比为1：1B．在磁场中运动的半径之比为 3：1C．在磁场中转过的角度之比为1：2D．离开电场区域时的动能之比为1：3
（2013•浙江）物理第20道选择 （2013•浙江）在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽
好像没说质量相同
姑且当质量相同吧 用动能定理解出 v+:v3+=1：根号3
r=mv/qb
所以r+：r3+=根号3：1
（看看题目有没有其他条件吧）