多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/10/21 01:53:43

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多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响

多晶硅本体内金属杂质含量高\低对电阻率影响
在硅晶体中,杂质一般是作为载流子的施主跟受主存在的,一般是金属杂质越多电阻越低.
但是多晶硅本体的话,你可以认为是单晶硅.