PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理

PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（） PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? 模拟电路：PN结富安特今天学习模拟电路的时候,遇到一个细节问题：当PN结无外电场或其他激发条件下,所参入杂质的浓度跟空间电荷区的宽度有关系么?当加入外电场后,所参入杂质的浓度跟 PN结的方向饱和电流的大小 和 雪崩电压的大小由上面特性决定的?这个问题主要问的是 反向电流 雪崩电压 由PN结那些特性决定?比如扩散浓度 梯度 耗尽层特性 杂质等方面.对于光线和温度,我 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, PN结势垒电容随外加电压变化的问题,PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,耗尽层电荷量减少,也就是存储的电荷量减少,势垒电容应该减小才对啊?为什么书上说正偏压增大,势垒电容增大?难道势垒电 PN结空间电荷区宽度的数量级是多少 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 PN结的掺杂浓度是什么? PN结的特性实验中,估算PN节的问题!PN结的特性实验中,估算PN节禁带宽度：Eg(0)=q