关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大,

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/12/02 01:59:25
关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大,
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关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大,
关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题
扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大,耗尽层越窄,那是不是说所有PN节耗尽层的电场强度都是一样的?

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概念上的问题
首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.
而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移,扩散是由于浓度差的存在,漂移是因为空间电荷区的电场作用,两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化.
掺杂浓度越高,耗尽区越宽,而不是越窄,浓度升高,扩散作用变强,空间电荷区变宽,同时漂移作用增强阻碍扩散,达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了.
最后,电场强度如上所述,是会随着掺杂浓度变化的,而不是不变的

没问题吧。，，，

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关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（） PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄原理是什么呢? PN结的掺杂浓度是什么? 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? 不同掺杂浓度的PN结的电位差是否相同 关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 半导体物理学：耗尽层近似的局限性 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.