SiO2,Si3N4,Si,多晶硅在集成电路中的性能及扮演的角色分别是什么?

SiO2,Si3N4,Si,多晶硅在集成电路中的性能及扮演的角色分别是什么? 氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得：3SiO2+6C+2N2=高温=Si3N4+6CO． 在28g晶体硅中,含多少个Si-Si共价键?在SiO2晶体中,由Si,O构成的最小单元环中共有8个原子. si如何转变成sio2 Sio2和c在高温下会生成Si吗 3.MgO—Al2O3—SiO2系统的低共熔物放在Si3N4陶瓷片上 ,在低共熔温度下,求Si3N4表面张力3.MgO—Al2O3—SiO2系统的低共熔物放在Si3N4陶瓷片上 ,在低共熔温度下,液相的表面张力为900×10-3 N/m,液体和固体 SiO2和Si3N4绝缘性能比较在纳米量级下,同厚度(如30nm)的SiO2和Si3N4绝缘性能哪个更好?为什么?请提供必要的数据支持!一楼同志能不能补充解释下,我们在试验的时候发现0.03um的Si3N4结构会出现漏电 工业制取氮化硅的化学方程式3Si+2N2==Si3N4,该反应属于何种类型? 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si(s)+O2(g)=SiO2(s)； =化学键 Si—O O=O Si—Si键能/kJ?mol-1 X 498.8 176 为什么熔点：金刚石(C)>水晶(SiO2)>SiC>晶体硅(Si) 为什么一个si被4个n包围,一个n被3个si包围,氮化硅的化学式就为si3n4 关于恒容条件下充入惰性气体 一般都是不引起浓度变化平衡不移动的吧.氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料,它可由SiO2与过量焦炭在1300-1700oC的氮气流中反应制得3SiO2（s）+6C（s）+2N2（g） Si3N 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol,Si-Si键能是176KJ,Si-O键能是460KL,O=O键能是498.8KJ,一摩尔硅含有两摩尔Si-Si键,一摩尔二氧化硅含有四摩尔SI-O键,为什么这反应会 Si3N4中的Si和N的化合价分别是多少? 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/molSi-O xO=O 498.8Si-Si 176问：x的值 多晶硅电阻是什么样多晶硅电阻是怎么样的?是在硅衬底上淀积多晶硅还是本身就全部是多晶硅? SiO2如何转化为Si? Si 怎样转化成SiO2