模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定2、有两个电压放

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/18 03:49:00
模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()A、放大区   B、饱和区   C、截止区   D、无法确定2、有两个电压放
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模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定2、有两个电压放
模电中关于晶体管的两道题
1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()
A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定
2、有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B,分别对同一具有内阻的信号源电压进行放大,在相同的负载电阻RL的情况下,测的uOA=4.5V,uOB=4.6V,则知B放大电路的()
A、输入电阻小 B、输入电阻大 C、输出电阻小 D、输出电阻大
写出选该选项的原因.

模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定2、有两个电压放
1)B、饱和区
2)B、输入电阻大

1、D因为无法确定三极管的类型,如果是NPN的是进入了截止区,如果是PNP的则进入了饱和区
2、B输入电阻越大,表明放大器从信号源取的电流越小,放大器输入端得到的信号电压也越大

模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定2、有两个电压放 为什么晶体管大都用固定偏置与自偏置的混合偏置电路呢 共射放大器中固定式偏置电路与分压式偏置电路各自的优缺点 晶体管共射放大电路,发射极正向偏置,集电极反向偏置,怎么判断是正向偏置还是反向偏置,依据什么原理 共射放大器中固定式偏置电路与分压式偏置电路各自的优缺点固定式偏置和分压式偏置可以互换吗?有人说分压式偏置电路能更好的稳定工作点,为什么非常有利,请说详细点, 固定偏置共发射极放大电路 关于分压偏置共射放大电路中输入电阻Ri的分析. 晶体管的偏置电路晶体管下偏置电阻开路怎么会导致基极电流过大,想听听各位网友的理解 晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后, 晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后,在 如图所示固定偏置共射放大电路中,已知三极管静态时的UBEQ=0.7V,电流放大倍数β=80 固定偏置共射放大电路出现截止失真的原因是?A,RB偏小B,RB偏大C,RC偏小D,RC偏大. 电子固定偏置电路的电路图 关于晶体管单级放大电路的实验问题!1 当调节偏置电阻,使放大电路输出的波形出现饱和或截止失真时,晶体管的管压降Uce怎么变化?2 改变静态工作点对放大电路的输入电阻ri有无影响?改变外 数字存储晶体管特性图示仪中阶梯偏置怎么用?数字存储晶体管特性图示仪中有个阶梯偏置,测试晶体管时怎么设置?我用的数字存储晶体管特性图示仪型号是:WQ4830 再利用晶体管开关特性时,其发射结,集电结是怎样偏置的? 什么叫作晶体管的偏置电压,应用在高频电路中的.要原理, 什么是固定偏置电路