求几种低饱和管压降(低Vce(sat))型号晶体管,要求:Ic>=10A;Vce(sat)

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/05 15:48:57
求几种低饱和管压降(低Vce(sat))型号晶体管,要求:Ic>=10A;Vce(sat)
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求几种低饱和管压降(低Vce(sat))型号晶体管,要求:Ic>=10A;Vce(sat)

2SD1118   80V 10A 50W HFE=300 vce(sat) o.5v(在2A测试时候)  还有2SC4554 2SC4064  2SA1567

求几种低饱和管压降(低Vce(sat))型号晶体管,要求:Ic>=10A;Vce(sat) 三极管输出特性曲线的饱和区,如图所示,三极管的饱和区,我一直无法理解.饱和是指什么饱和?它是如何变到饱和的?它是放大的极限吗?iB增大的时候,vCE会减小(VCC-ic*Rc),vCE 三极管饱和压降Vce(sat)是什么意思?IB一定,我们可以通过设置集电极电阻来改变直流负载线,如图画有1和2两条直流负载线,在这个IB下,1和2都处于饱和状态.但其对应的电压分别是VCE1和VCE2.换 IKW75N60T有谁知道用什么型号替代啊?描述 晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:80A 饱和电压, Vce sat 最大:2描述晶体管类型:IGBT集电极直流电流:80A饱和电压, Vce sat 最大:2V最大功耗:428W电压, Vceo:600V工 三极管在饱和区时Vce为多少? 晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后, 晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻(射极偏置)后,在 求一款IC 型号 低VCE PNP三极管 电流1.5A以上应该是个3极管 低VCE PNP三极管 电流1.5A以上 如图所示,三极管开关电路,Vcc=10V,Vee=-5V.Rc=1k欧,R1=11k欧,R2=如图所示,三极管开关电路,Vcc=10V, Vee=-5V.Rc=1k欧,R1=11k欧,R2=3.3k欧,R3=18k欧.三极管的电流放大系数β=30,饱和导通压降Vce(sat)=0.1V,饱和导通内 当Vce sat(完全形式) matlab中mesh()怎么用?求指教 (下面是我输的命令行)clearIes=10^-11;af=0.99;ar=0.5;Vt=0.026;Ics=1.98*10^-11;Vbe=0.4:0.004:0.8;Vce=0:0.03:3;Ib=(1-af)*Ies*(exp(Vbe/Vt)-1)+(1-ar)*Ics*(exp((Vbe-Vce)/Vt)-1);>> mesh(Vbe,Vce,Ib); 线性电子电路中三极管采用控制变量法,即ib=f(vbe)lvce=常数,(输入),ic=f(vce)lib=常数,(输出), 三极管基极电流公式不懂,基极电流表达式中 Ib=(Vcc-Vce)/{Rb+(1+β)Re},为什么是(1+β)Re?没什么分,原谅啊 铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?Ie怎么就要选比最大输出电流2.5mA还大的10mA. 三极管电路如图所示,若已知电路中电阻电源的值,求(1)求电路的静态工作点(IB,IC,IE,VCE).(2) 若已知基极电位,或者是已知VCE电压,求取电阻RB1或RB2的值;(3)画出电路的小信号模型,求电压 已知 VBE(on)= 0.7 V ,VCE(sat) = 0.3 V , = 30 ,试判断三极管工作状态,并计算 VCEQ. 三极管vce(sat)测量电路应该怎么设计?我目前有一颗PNP三极管需要测量Vce(sat),条件是Ic=100mA,Ib=5ma3V和5V均使用稳压电源,但是5V一旦接上去,3V就被反灌到3.4V,这是怎么回事?如果把47R电阻接到E极,C极