如何定义晶体管串并联等效增益因子

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/12/01 09:07:23
如何定义晶体管串并联等效增益因子
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如何定义晶体管串并联等效增益因子
如何定义晶体管串并联等效增益因子

如何定义晶体管串并联等效增益因子
1
、
MOS
集成电路的加工包括哪些基本工艺?各有哪些方法和工序?

答：（
1
）热氧化工艺：包括干氧化法和湿氧化法；



（
2
）扩散工艺：包括扩散法和离子注入法；


（
3
）淀积工艺：化学淀积方法：
1
外延生长法；
2
热
CVD
法；
3
等离子
CVD
法；


物理淀积方法：
1
溅射法；
2
真空蒸发法


（
4
）
光刻工艺：
工序包括：
1
涂光刻胶；
2
预烘干；
3
掩膜对准；
4
曝光；
5
显影；
6
后烘干；
7
腐蚀；
8
去胶.

2
、简述光刻工艺过程及作用.

答：（
1
）涂光刻胶：为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性,防止显影时光刻胶的脱落,以
及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀；


（
2
）预烘干：以便除去光刻胶中的溶剂；


（
3
）掩膜对准：以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准；


（
4
）曝光：使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片；


（
5
）
显影：
将曝光后的硅片浸泡在显影液中,
使正光刻胶的曝光部分和负光刻胶的
未曝光部分被溶解掉；


（
6
）
后烘干：
使残留在光刻胶中的有机溶剂完全挥发掉,
提高光刻胶和硅片的粘接
性及光刻胶的耐腐蚀性；


（
7
）腐蚀：以复制在光刻胶上图形作为掩膜,对下层材料进行腐蚀,将图形复制到
下层材料中；


（
8
）去胶：除去光刻胶.

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