MgO属于宽禁带半导体吗
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/24 11:59:36
xn@_%K#Y e,Pm*eQ;"EQ6%/ &N P EbdΌ+Ff7:;矉bסF蹼?uS7f)$EV6BIWCG:3,_(Iг3N\z-^ICFw;5Y̛6jxCʹ> xrRפOɯoFK)bvoZ[ 2BR0^ƹt5m>f=S^\pޣP6jU+CCCO@/ׁ̀Y߿,o?=XD"d]ӿñ+5,¡>hT$V|u-T3F;<GhWM'v=$?
8XВ}0U_ !:#wu%NLJ\.&!a
tG#{D2&/(0
MgO属于宽禁带半导体吗
MgO属于宽禁带半导体吗
MgO属于宽禁带半导体吗
在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料,把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)(通常指禁带宽度大于2 .2电子伏特的半导体材料),也称高温半导体材料.