谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?

谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?

谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
Samsung内存
具体含义解释：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片.
第2位——芯片类型4,代表DRAM.
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM.
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号.64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量.
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据.
第11位——连线“-”.
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz).
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量.例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装.颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）.
注：“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8.关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码.通过校验码,可以检测出内存数 据中的两位错误,纠正一位错误.所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘.在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存.
Hynix(Hyundai)现代
·“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成.(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位).(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2.(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代.(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗,空白代表普通；L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型.
·封装类型用“T”表示,即TSOP封装.(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈,空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈.
·封装原料,空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素.该内存为普通封装材料.
·“D43”表示内存的速度为DDR400.(D43=DDR400,3-3-3；D4=DDR400,3-4-4；J=DDR333；M=DDR333,2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度,一般被省略.I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM)；
3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Infineon（英飞凌）
Infineon 是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒.编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度.Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成.所以其内存 颗粒型号比较少,辨别也是最容易的.
HYB39S128400即128MB/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度.其它也是如此,如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits.
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率.
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz.
例如：
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产.其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）.
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产.其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）.
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）.并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产.Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits.在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来.
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits,8M地址空间×16位数据宽度.
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3.
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造,其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）.
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义：
MT——Micron的厂商名称.
48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式,TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率,-75即133MHz；-65即150MHz.
实例：一条MicronDDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM,94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns.
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327,是6纳秒的颗粒,单面8片颗粒共256M容量,0327代表它的生产日期为2003年第27周
A－DATA
这是A－DATA的DDR500