导电性的的问题如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/18 09:38:24
导电性的的问题如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子?
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导电性的的问题如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子?
导电性的的问题
如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子?

导电性的的问题如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子?
原子间距离变了,但原子结构并没有变化,所以物质本质没有变化,所以性质不会改变,原子间的自由电子也不会和金属单质一样,所以不会导电.

听过金属氢吗?许多非金属在高压下都是可以导电的,氢气氧气等在高压下都可以变成金属态,比如木星内部由于高压存在金属氢。所以有理由相信硅在高压下能导电

高压是可以改变电子结构的~~压力增大相邻的分子原子轨道会重叠,使电子轨道的性质发生改变,电子轨道的改变导致材料的禁带宽度发生改变,而物质导电与否就是与禁带宽度有关的,硅的禁带宽度介于导体与绝缘体之间,属于半导体,理论上高压可以改变材料的禁带宽度,从而影响它的导电性能,但还是要看具体情况。~追问 谢谢你的回答
那这种半导体相变而来的导体和金属导体(铜之类的)相比,,导电性那个大回答 咳咳。。...

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高压是可以改变电子结构的~~压力增大相邻的分子原子轨道会重叠,使电子轨道的性质发生改变,电子轨道的改变导致材料的禁带宽度发生改变,而物质导电与否就是与禁带宽度有关的,硅的禁带宽度介于导体与绝缘体之间,属于半导体,理论上高压可以改变材料的禁带宽度,从而影响它的导电性能,但还是要看具体情况。~追问 谢谢你的回答
那这种半导体相变而来的导体和金属导体(铜之类的)相比,,导电性那个大回答 咳咳。。这个比较。。不能单纯的说哪个大把 这个涉及很多的,比如两者的电子云重叠程度,载流子浓度,激发能啊之类,不知道你具体用来解决什么问题,如果想比较的可以做个能带分析图。还有这两种用来分析电子结构的模型是不一样的,金属主要涉及的是费米能级相关的东西。总之涉及的东西很多不能就这么单纯的比较吧。如果你有具体的东西可以自己测下大小。没有那就只能运用软件进行能带计算。Materials Studio可以用来分析能带
摘自 阳光小小麦子 百度知道
模拟电路里pn结是通过添加+3-3离子制作的,如果高压就可以全部变成自由就破坏半导体本质了摘自友人

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导电性的的问题如果用高压使半导体原子(硅原子为例)紧密堆积后,能不能使硅原子最外层电子都变成能导电的自由电子? 半导体导电性与金属导电性的异同 硅等半导体的导电性比铁、铜等导体的导电性强还是弱? 高压电缆中的半导体层的作用为什么用半导体,绝缘体不行吗? 石墨与硅的导电性谁强?硅和石墨都是非金属,但硅是是半导体. 晶硅导电性为什么不如非晶硅不是参杂半导体,所以不考虑空穴和电子复合导致载流子减少,也不用考虑杂质造成散射,单纯就晶体结构影响导电性的问题, 半导体掺杂的目的是什么?是为了使导电性变好?为什么呢? 费米能级与半导体导电性的关系费米能级的位置与半导体导电性有什么关系啊? 半导体的导电性和超导体的导电性与温度的关系 为什么本征半导体导电性会变差从半导体到变为本征半导体的过程中是什么发生改变引起导电性变差的? 铜的导电性比铝好,为什么高压电线用铝而不用铜制 从化学结构上分析1·普通半导体 2·N型半导体 P型半导体 PN结 的单向导电性化学上一种物质导电 可以解释为π键 离子穿透空隙 等等 现在可以用这些解释上边的问题吗? PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子 关于金属键的问题电子越多导电性越强,而非金属原子最外层电子数比金属原子的多,如果能用超高压等使非金属原子(氮 硫 磷等)失去最外层电子后 那么这种非金属原子(离子)会不会和 关于金属键的问题电子越多导电性越强 而非金属原子最外层电子数比金属原子的多 如果能用超高压等使非金属原子(氮 硫 磷等)失去最外层电子后 那么这种非金属原子(离子)会不会和 半导体高压电缆中半导体层是带来哪几方面的作用详细 N、P型半导体能导电吗?二极管相当于PN型两块半导体组成的,使它有单向导电性,我想问的是单块半导体如:P型半导体能导电吗?另外还有,为什么同一块P型半导体中既有空穴(多子)又有自由 导体的温度越高导电性有什么变化不是半导体