半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/21 20:07:40
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半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?
刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的变小而降低才是
事实上是禁带宽度gegaas
并且差别还非常大
不要拿存在间接复合来应付!
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
这里要区分清楚两个问题:一是能带结构(直接带隙或者间接带隙),二是复合机理(直接复合或者间接复合).
GaAs是直接带隙半导体,复合机理主要是直接复合,则少数载流子寿命很短.直接复合的几率与禁带宽度有关,则禁带宽度越小的半导体,少数载流子寿命就越短.
Si和Ge是间接带隙半导体,主要是依靠复合中心的间接复合机理,则寿命决定于复合中心的浓度和性质,与禁带宽度基本上无关.一般,间接复合的寿命都较长.所以,Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长,虽然GaAs的禁带宽度较大.
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
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