7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?7406是个 inverter.为什么不会改变逻辑.30V不算太高吧.

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/19 19:39:40
7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?7406是个 inverter.为什么不会改变逻辑.30V不算太高吧.
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7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?7406是个 inverter.为什么不会改变逻辑.30V不算太高吧.
7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?
7406是个 inverter.
为什么不会改变逻辑.
30V不算太高吧.

7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?7406是个 inverter.为什么不会改变逻辑.30V不算太高吧.
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件.是组成CMOS数字集成电路的基本单元. 发展历史 1963年,仙童半导体(Fairchild Semiconductor)的Frank Wanlass发明了CMOS电路.到了1968年,美国无线电公司(RCA)一个由亚伯·梅德温(Albert Medwin)领导的研究团队成功研发出第一个CMOS集成电路(Integrated Circuit).早期的CMOS元件虽然功率消耗比常见的晶体管-晶体管逻辑电路(Transistor-to-Transistor Logic, TTL)要来得低,但是因为操作速度较慢的缘故,所以大多数应用CMOS的场合都和降低功耗、延长电池使用时间有关,例如电子表.不过经过长期的研究与改良,今日的CMOS元件无论在使用的面积、操作的速度、耗损的功率,以及制造的成本上都比另外一种主流的半导体制程BJT(Bipolar Junction Transistor,双载子晶体管)要有优势,很多在BJT无法实现或是实作成本太高的设计,利用CMOS皆可顺利的完成. 早期分离式CMOS逻辑元件只有“4000系列”一种(RCA 'COS/MOS'制程),到了后来的“7400系列”时,很多逻辑芯片已经可以利用CMOS、NMOS,甚至是BiCMOS(双载子互补式金氧半)制程实现. 早期的CMOS元件和主要的竞争对手BJT相比,很容易受到静电放电(ElectroStatic Discharge, ESD)的破坏.而新一代的CMOS芯片多半在输出入接脚(I/O pin)和电源及接地端具备ESD保护电路,以避免内部电路元件的闸极或是元件中的PN接面(PN-Junction)被ESD引起的大量电流烧毁.不过大多数芯片制造商仍然会特别警告使用者尽量使用防静电的措施来避免超过ESD保护电路能处理的能量破坏半导体元件,例如安装内存模组到个人电脑上时,通常会建议使用者配戴防静电手环之类的设备. 此外,早期的CMOS逻辑元件(如4000系列)的操作范围可由3伏特至18伏特的直流电压,所以CMOS元件的闸极使用铝做为材料.而多年来大多数使用CMOS制造的逻辑芯片也多半在TTL标准规格的5伏特底下操作,直到1990年后,有越来越多低功耗的需求与讯号规格出现,取代了虽然有着较简单的讯号接口、但是功耗与速度跟不上时代需求的TTL.此外,随着MOSFET元件的尺寸越做越小,闸极氧化层的厚度越来越薄,所能承受的闸极电压也越来越低,有些最新的CMOS制程甚至已经出现低于1伏特的操作电压.这些改变不但让CMOS芯片更进一步降低功率消耗,也让元件的性能越来越好. 近代的CMOS闸极多半使用多晶硅制作.和金属闸极比起来,多晶硅的优点在于对温度的忍受范围较大,使得制造过程中,离子布值(ion implantation)后的退火(anneal)制程能更加成功.此外,更可以让在定义闸极区域时使用自我校准(self-align)的方式,这能让闸极的面积缩小,进一步降低杂散电容(stray capacitance).2004年后,又有一些新的研究开始使用金属闸极,不过大部分的制程还是以多晶硅闸极为主.关于闸极结构的改良,还有很多研究集中在使用不同的闸极氧化层材料来取代二氧化硅,例如使用高介电系数介电材料(high-K dielectric),目的在于降低闸极漏电流(leakage current). CMOS应用一,计算机领域 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料)是微机主板上的一块可读写的ROM芯片,用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定.CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失.CMOS ROM本身只是一块存储器,只有数据保存功能,而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序. 早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的(如IBM的PC/AT机型),使用很不方便.现在多数厂家将CMOS设置程序做到了 BIOS芯片中,在开机时通过按下某个特定键就可进入CMOS设置程序而非常方便地对系统进行设置,因此这种CMOS设置又通常被叫做BIOS设置. CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低,因此,计算机里一个纽扣电池就可以给它长时间地提供电力. 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片.有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实CMOS是CPU中的一块只读的ROM芯片,是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定.CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失. 早期的CMOS是一块单独的芯片MC146818A(DIP封装),共有64个字节存放系统信息.386以后的微机一般将 MC146818A芯片集成到其它的IC芯片中(如82C206,PQFP封装),586以后主板上更是将CMOS与系统实时时钟和后备电池集成到一块叫做DALLDA DS1287的芯片中.随着微机的发展、可设置参数的增多,现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量.为保持兼容性,各BIOS厂商都将自己的BIOS中关于CMOS ROM的前64字节内容的设置统一与MC146818A的CMOS ROM格式一致,而在扩展出来的部分加入自己的特殊设置,所以不同厂家的BIOS芯片一般不能互换,即使是能互换的,互换后也要对CMOS信息重新设置以确保系统正常运行. CMOS的设置内容 大致都包含如下可设置的内容: 1.Standard CMOS Setup:标准参数设置,包括日期,时间和软、硬盘参数等. 2.BIOS Features Setup:设置一些系统选项. 3.Chipset Features Setup:主板芯片参数设置. 4.Power Management Setup:电源管理设置. 5.PnP/PCI Configuration Setup:即插即用及PCI插件参数设置. 6.Integrated Peripherals:整合外设的设置. 7.其他:硬盘自动检测,系统口令,加载缺省设置,退出等 微电子学中的CMOS概念: CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料.采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)集成在一块硅片上.该技术通常用于生产RAM和交换应用系统,在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的ROM芯片. CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低. 二,数码相机领域 CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件(常见的有TTL和CMOS),尤其是片幅规格较大的单反数码相机.虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工艺,只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能,再透过芯片上的模-数转换器(ADC)将获得的影像讯号转变为数字信号输出. 相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有一下优点: 1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计 2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强 3、静态功耗低 4、隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多 三,媒介研究方法, CMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Study) 美国IAB 互动广告署 (Internet Advertising Bureau) 于2003年起联合知名品牌广告主、媒体、媒介代理等参与方,共同推动 XMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Study),吸引多芬、麦当劳、福特、ING等众多品牌参与,以及Google, Yahoo, AOL、MSN、cnet等媒体. IAB 在英国、欧洲、澳大利亚等互联网广告较为成熟的国家同步推进,对于提高广告投放ROI形成了非常有效的指导和帮助 调研公司 Dynamic Logic等也在美国市场推动跨媒体研究,包含电视、互联网、平媒、户外等媒介评估 ,帮助广告主优化媒介、营销方法. 四、CMOS集成电路介绍 自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后,随着硅平面技术的发展,二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路,它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃. CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分.由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit). 目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路(主要为TTL)和单极型集成电路(CMOS、NMOS、PMOS等).CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级. CMOS发展比TTL晚,但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL. (资料来自百度百科)

7406加上拉电阻 驱动CMOS,改变了电路的逻辑关系?7406是个 inverter.为什么不会改变逻辑.30V不算太高吧. 51单片机p1驱动uln2803需要加上拉电阻吗?是多大? atmega16的I/O口还需要接上拉电阻吗51单片机的I/O口都是要加上拉电阻才能驱动coms电路的,如果atmage16不加上拉电阻的话能驱动coms电路吗 加上拉电阻怎么增加驱动电流加上拉电阻不是为了提高输出高电平的电位吗?就是说如果接了一个5V的上拉,输出的高电平就差不多是5V.跟电流怎么有关系的? i2c为何加上拉电阻? 三极管驱动共阴极数码管 三极管的C极加上拉电阻阻值多少?B极我加了1K的电阻,然后连接在I/O口上 C极接数码管的公共端,E极接地,然后数码管不亮,我查了下,有人说三极管的C极加上上拉电阻后 TTL门电路上拉电阻?TTL门电路驱动CMOS门电路有时高电平Voh会不够,此时会加入上拉电阻提高Voh,如图中所示,我有一点想不明白,就是TTL输出高电平时认为它里面的T4管截止,这个不是很好理解,我知 我用一个上拉电阻,驱动电阻,但是还是驱动不了ULN2003 你的意思是说如果单片机加上拉或下拉电阻就可以直接驱动大功率管子,直接考虑上拉电阻瓦数就行,大哥,三极管9014的发射结电流最大是多少啊?是5mA吗?我在单片机的一个引脚接了一个9014,直 请问51单片机P0口接74HC573驱动共阴极数码管时候,要在P0和573之间加上拉电阻吗? 电压比较器LM393的内部电路图是什么样的,不是引脚图,什么情况下加上拉电阻?上拉电阻的大小该怎么选择?电压为5V,输出端接非门时上拉电阻大小,输出端的非门为CMOS或者TTL时上拉电阻有什么 用uln2003驱动步进电机需不需要上拉电阻如题,单片机与uln2003输入端,是不是要加上拉电阻?另外uln2003输出端与步进电机之间是不是也要加上拉电阻?两个电阻分别取多大呢?uln2003的输出不是集电 为什么P2脚没加上拉电阻,然后用P2脚产生的PWM信号就不能驱动舵机?我用其它有上拉电阻的测试都可以驱动,就不明白为什么没有上拉电阻就动不了!我的单片机电源与舵机电源是分开独立的,两 一个数字电路基础题:集电极开路门74LS03驱动5个CMOS逻辑门,计算上拉电阻的值(正确加20分)OC门输出管截止时漏电流为0.2mA,负载门在高低电平情况下电流均为1uA.其中,我查表74LS系列,高低电平电 用AT89C51的P0口加上拉电阻(上拉电阻接5V电压)与74HC573相连驱动3位8数码管的段选.那是否可以用单片机其他I/O口来直接控制位选吗?还是必须再用锁存器或者是三极管才能进行驱动?是不是位 为什么要加上拉电阻和下拉电阻 单片机的IO口为什么加上拉电阻?加了几K上拉电阻岂不是就不能点亮发光二极管了? 为什么要加上拉电阻和下拉电阻上拉电阻是为了拉高电平吗