作业帮什么是布拉格反射镜
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/18 23:44:26
xnP_%p@ HlZ{n#Z҄{4q%Ֆz ;̙s1VEÞgL"&2jjwm+0{z×Ɨ+5b;mqm~0ŻW se# 9Re,9/
&Ȣ? 7S 4x;V u1R#AXdk'ba<_G,E| bW?3ꕠuҢj%̮'ۛ' 2#!A,6.z)(TAyx=̮Jm4[~I E4 : (e465hF`9N(9?JH;9ECIHտ|؆.C ]F"^=AoxKoNJmϭXp~܀g51[>QnȣvՅ?S к|W .oNlf/nirHL'0aNUf >:wZfw[Qr ҕ{~u+8ztQoĕ^ Jq
b=]{x7^)H1ևY0YE nD}L8Ĝ!i]ř&@OUܩ!&]L|F5@x%7WRr& ͬ
什么是布拉格反射镜
什么是布拉格反射镜
什么是布拉格反射镜
对于近红外波段的VCSEL,使用的基本都是全半导体DBR反射镜,如表所示.基于AlGaAs材料的DBR应用的最为广泛,在波段650～690 nm,近红外的850～980 nm段,长波1.33～1.55 ptm段都有应用.在650～690 nm段,采用的是A1As／A1xGa-xAs基DBR,为了避免光吸收,需x＞0．4.对于780 nm的VCSEL,铝的组分要减少为x＝0.25；同理,对应于850 nm的x＝0.15,980 nm的VCSEL选用的是GaAs／A1As或GaAs／A1.q6Ga0.04As基DBR.
理想的VCSEL需要拥有最大的反射率和良好的散热性.与绝缘材料的DBR相比,全半导体DBR的折射率差要小许多,因此要达到99％的反射率,需要更多的DBR周期结构,并且还会在反射过程的相位变换中导致较高的色散.理想的全半导体DBR在垂直方向应该有着非常小的串联电阻,顶部发射VCSEL的环形电极还应有非常高的横向电导率.但是因为构成DBR的两种材料的价带不连续,造成了P型DBR的高串联电阻,发热十分严重.