如图所示,ABCD是竖直放置的光滑长直导轨框,两导轨间距L=0.5m,导轨上的电阻R=2.0欧姆,不计导轨自身的电阻,导轨框处于水平方向的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,磁场方向与导轨平面垂直,导体杆MN
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/04 22:06:16
![如图所示,ABCD是竖直放置的光滑长直导轨框,两导轨间距L=0.5m,导轨上的电阻R=2.0欧姆,不计导轨自身的电阻,导轨框处于水平方向的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,磁场方向与导轨平面垂直,导体杆MN](/uploads/image/z/4973927-23-7.jpg?t=%E5%A6%82%E5%9B%BE%E6%89%80%E7%A4%BA%2CABCD%E6%98%AF%E7%AB%96%E7%9B%B4%E6%94%BE%E7%BD%AE%E7%9A%84%E5%85%89%E6%BB%91%E9%95%BF%E7%9B%B4%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E6%A1%86%2C%E4%B8%A4%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E9%97%B4%E8%B7%9DL%3D0.5m%2C%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E4%B8%8A%E7%9A%84%E7%94%B5%E9%98%BBR%3D2.0%E6%AC%A7%E5%A7%86%2C%E4%B8%8D%E8%AE%A1%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E8%87%AA%E8%BA%AB%E7%9A%84%E7%94%B5%E9%98%BB%2C%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E6%A1%86%E5%A4%84%E4%BA%8E%E6%B0%B4%E5%B9%B3%E6%96%B9%E5%90%91%E7%9A%84%E5%8C%80%E5%BC%BA%E7%A3%81%E5%9C%BA%E4%B8%AD%2C%E7%A3%81%E6%84%9F%E5%BA%94%E5%BC%BA%E5%BA%A6B%3D1T%2C%E7%A3%81%E5%9C%BA%E6%96%B9%E5%90%91%E4%B8%8E%E5%AF%BC%E8%BD%A8%E5%B9%B3%E9%9D%A2%E5%9E%82%E7%9B%B4%2C%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9D%86MN)
如图所示,ABCD是竖直放置的光滑长直导轨框,两导轨间距L=0.5m,导轨上的电阻R=2.0欧姆,不计导轨自身的电阻,导轨框处于水平方向的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,磁场方向与导轨平面垂直,导体杆MN
如图所示,ABCD是竖直放置的光滑长直导轨框,两导轨间距L=0.5m,导轨上的电阻R=2.0欧姆,不计导轨自身的电阻,导轨框处于水平方向的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,磁场方向与导轨平面垂直,导体杆MN从图中所示位置开始沿导轨做自由落体运动,并在下落过程中始终保持和导轨接触良好,当导体杆MN从开始下落到0.5s末时闭合电键S,已知导体杆的电阻r=0.5欧姆、质量m=10g,重力加速度g=10m/g^2.求:
(1)电键S闭合瞬间,导体杆MN的速度v是多少?此时通过电阻R的电流大小.
(2)电键S闭合后,当导体杆MN下落到某一高度处时其瞬时速度为2m/s,此时导体杆MN所受安培力的大小是多少?
改:重力加速度g=10m/s^2
如图所示,ABCD是竖直放置的光滑长直导轨框,两导轨间距L=0.5m,导轨上的电阻R=2.0欧姆,不计导轨自身的电阻,导轨框处于水平方向的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,磁场方向与导轨平面垂直,导体杆MN
开始不构成回路,没有电流,MN不受安培力,做自由落体运动
v=gt=5m/s
闭合瞬间构成回路,MN切割磁干线,产生电动势E=BLV=1*0.5*5=2.5V
通过R的电流I=E/(r+R)=2.5/(2+0.5)=1A
当速度为2m/s时,MN切割磁干线,产生电动势E=BLV=1*0.5*2=1V
回路中电流I=E/(r+R)=1/(2+0.5)=0.4A
MN所受安培力F=BIL=1*0.4*0.5=0.2N
就是楼上的做法。