作业帮磁控溅射靶材是铟、起辉气体是氩气（高纯）,反应气体是氧（高纯）,在基片上需要生成三氧化二铟工作环境为2.8*10-3mbar真空度,1.5厘米间距阻值要200欧姆左右.影响最终在基片上生成为三氧化
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/13 14:46:14
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磁控溅射靶材是铟、起辉气体是氩气（高纯）,反应气体是氧（高纯）,在基片上需要生成三氧化二铟工作环境为2.8*10-3mbar真空度,1.5厘米间距阻值要200欧姆左右.影响最终在基片上生成为三氧化
磁控溅射靶材是铟、起辉气体是氩气（高纯）,反应气体是氧（高纯）,在基片上需要生成三氧化二铟
工作环境为2.8*10-3mbar真空度,1.5厘米间距阻值要200欧姆左右.影响最终在基片上生成为三氧化二铟的因素有哪些方面.
磁控溅射靶材是铟、起辉气体是氩气（高纯）,反应气体是氧（高纯）,在基片上需要生成三氧化二铟工作环境为2.8*10-3mbar真空度,1.5厘米间距阻值要200欧姆左右.影响最终在基片上生成为三氧化
氧流量,控制靶中毒.
沉积膜时的时间,
基材的清洁问题,
磁控溅射靶材是铟、起辉气体是氩气（高纯）,反应气体是氧（高纯）,在基片上需要生成三氧化二铟工作环境为2.8*10-3mbar真空度,1.5厘米间距阻值要200欧姆左右.影响最终在基片上生成为三氧化
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