为什么nmos器件,poly掺杂掺n+和p+阈值电压相差一个禁带宽度?

为什么nmos器件,poly掺杂掺n+和p+阈值电压相差一个禁带宽度? CMOS 当器件隔离时 为什么NMOS衬底接低点位 PMOS接高点位 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 为什么半导体中可以同时存在两个掺杂费米能级Efn和Efp1）是否只有heavy doping才会让费米能级移动到导带以上或者价带以下?2）同一块半导体中可以同时存在P掺杂和N掺杂吗?自由电子和自由空 poly 掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系本征半导体掺杂后变成掺杂半导体后n0p0=ni2还成立吗?如果变成n型,p0会变少变成少数载流子,那成对出现的本征载流子ni为什么不等于p0? n-offset是什么意思NMOS offset，貌似集成电路方面的 在制备集成电路双极型晶体管时,为什么N型集电区的引线孔区域要重掺杂? 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 为什么PMOS的阈值电压比NMOS要大 电压器件和电流器件如何区分? 非线性器件和线性器件的定义 什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?（只考虑n掺杂或p掺杂） 矿泉水和自来水可以掺杂养鱼吗 什么是稀土离子共掺杂啊?比如Eu离子和Ce离子共掺杂Li2SrSiO4基质中,怎么样制备呢?是一个个的把Eu掺杂的Li2SrSiO4和Ce掺杂的Li2SrSiO4分别制备出来,然后一起混合再用.还是把Eu和Ce一起掺在Li2SrSiO4 T-ara roly poly和roly poly区别?哪个更好听 电子元件和器件的区别