晶体管为什么饱和?书上说发射结与集电结同时正偏,随着基极电流的增加,集电极电流不再增加,即为饱和,为什么基极电压大于集电极电压就饱和,电压与饱和电流到底有什么具体联系?是因为负

晶体管为什么饱和?书上说发射结与集电结同时正偏,随着基极电流的增加,集电极电流不再增加,即为饱和,为什么基极电压大于集电极电压就饱和,电压与饱和电流到底有什么具体联系?是因为负 为什么晶体管的受控电流Ic与发射结电压Ub'e成线性关系RT.书上说是根据半导体物理的分析,谁能帮我分析分析. 有关晶体管饱和管压降的问题比如是NPN型的硅管,当处于饱和区时,发射结和集电结都是正偏,也即是Uce β与晶体管饱和电路如图所示,问β大于多少时晶体管饱和?这题我会求,Ib=Vcc/Rb=0.05mAIc=Vcc/Rc=5mAβ=Ic/Ib=100我的问题是,为什么说β>100时,晶体管就饱和了?题目所谓的晶体管饱和应该指的就是输出特 三极管的输出特性曲线中Uce从零开始变大时Ic也从零开始变大,为什么不是从负的开始变大呢?有人说:在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.请问是不是真的?那么,电 请写出晶体管分别工作在放大区,截止区和饱和区时,发射结和集电结的偏置情况. 5、晶体管的发射结、集电结均正偏则晶体管所处的状态是（ ）.A.放大 B.截止 C.饱和 D.不定 温度升高为什么会导致晶体管基集与发射集电压减小 铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?Ie怎么就要选比最大输出电流2.5mA还大的10mA. 正常工作的晶体管,流过发射结,集电结的电流主要是什么电流 饱和晶体管电路计算问题?饱和晶体管理解不清楚,式中IL是什么?为什么RB要小于或等于? 晶体管中正向发射结电压指什么 晶体管中正向发射结电压指什么 三极管放大电路饱和状态书上说三极管饱和区是由于两端都是正偏可是书上有道题晶体管饱和电流 Ic=Ucc/Rc=4mA此时基极电流为IB一撇=Ic/B =40uA当U1=3v时 IB=(U1-Ube)/Rb=15uA小于IB一撇所以处于饱和状 三极管放大电路饱和状态书上说三极管饱和区是由于两端都是正偏可是书上有道题晶体管饱和电流 Ic=Ucc/Rc=4mA此时基极电流为IB一撇=Ic/B =40uA当U1=3v时 IB=(U1-Ube)/Rb=15uA小于IB一撇所以处于饱和状 对于三极管来说：它进入饱和的本质是什么?有大神能完美解释下吗书本上说进入饱和是发射结正偏,集电结正偏,这个没有从根本上解释为什么此时进入饱和,以及饱和的特点. 为什么在数字电路中只用晶体管的载止和饱和 静态工作点稳定电路中,为什么直流负反馈电阻过大晶体管就饱和?