关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题1,为什么样品周围和电极附近不要受光照?2,样品电阻率不均匀会造成什么结果?3,样品电流大小会对测试结果带来什么影响?比较了解这
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/29 21:18:19
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关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题
1,为什么样品周围和电极附近不要受光照?
2,样品电阻率不均匀会造成什么结果?
3,样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
比较了解这些的前辈们希望你能帮我解答一下,谢谢.
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1:为什么样品周围和电极附近不要受光照?
答:因为表面处不够光滑,比较粗糙,受到光照会使表面复合的影响增大,造成测量的少子寿命比实际寿命值小,所以要选择较大的样品,进行化学抛光,从而减小样品的表面复合效应.
2:样品电阻率不均匀会造成什么结果?
答:样品电阻率不均匀会使得样品中不同处所测的的少子寿命不同,则某一次的少子寿命测量值并不能代表半导体的寿命.多次测量取平均值能减小电阻率不均匀的影响
3:样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
答:若样品中电流过大可能会造成样品测量中并非小注入条件,从而使得测量的多子的寿命,而非少子的寿命.而若电流过小,可能不易观测到少子从复合,恢复到平衡状态的过程,而使测量遇到阻碍.
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多数载流子和少数载流子的意义
LED发光原理在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来.怎么出现这个少数载流子,多数载流子呢?
N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么?
什么是少数载流子?
半导体的少数载流子浓度有什么决定
半导体中的多数载流子是由()产生的;少数载流子是由()产生的.
为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小
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杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的
多数载流子和少数载流子是什么意思
P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么?
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测量溶液电导时,超出了电导仪的测量范围,应该怎么办?
为什么说少数载流子的数目少,但影响二极管,晶体管温度稳定性的主要因素
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掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系
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