MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/19 12:34:58
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
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MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0?
2.VGS>4v只是大于开启电压,并没有让管子完全导通,要9V以上才能完全导通?VGS和饱和区有个P关系啊,从特性曲线上看,只要VDS>一定值,VGS>4V就到饱和区了,为什么要到9V才完全导通?


看这个东西看了一天了,网上好多人说的不一样,这个说他说的不对,那个说他说的不对,完全晕了啊.
到底是怎样的啊?
   

MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容).
2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一下模电书,好好温习一下Ugs(th)的定义.对于N-MOSFET来说,Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压,注意这里的定语——刚刚形成导电沟道.随着Ugs加强,导电沟道还会逐步变宽,到一定程度,这个沟道的大小就不再随着电压变宽了(类似于水龙头,Ugs(th)就相当于刚刚有水,但增加到一定程度,水流的粗细就不再变了),一般来说,MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压.
3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换(最佳),但也可以是恒流区和夹断区之间切换(不过不推荐,此时MOS管相当于工作在放大状态,外部电压大量加在DS上,导致UDS会很大,再加上电流,会引起MOS管明显发热).

MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是 mos管可以做开关管用吗?如果用作开关管那工作在什么状态下呢? MOS管作为开关使用时工作在哪个区?如题,MOS有三个区,夹断区、可变电阻区和恒流区.对于N沟道MOS管,当Ugs大于开启电压,Uds逐渐增加,管子会先经过可变电阻器,然后预夹断,之后进入恒流区,当MOS mos开关管为什么会发过热 W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗?他的频率是多少? 相同负载下,功率MOS管是工作在放大状态发热大还是工作在饱和状态发热大 MOS管在数字电路中工作在( )区,在模拟电路中工作在( ) 线性MOS管与开关MOS管的区别开关MOS管与线性MOS管的区别,1.是不是开关MOS管的只有“开”与“关”2种状态?2.是不是线性MOS管可以利用栅极的电压大小来控制导通的比率?3.开关的MOS管是使用数字 为什么mos管不能一直处于导通状态?其实就是想不用继电器,而用mos管来实现一个开关,既然是开关,那就有一直开或一直关的情况啊 MOS管的工作原理 Mos管 在开关电路中 是怎么工作的? 串联稳压电路中的调整管工作在 ( )串联稳压电路中的调整管工作在 ( )A 截止状态 B 饱和状态 C 放大状态 D 开关状态 MOS开关电路计算如这个图,比较常见简单的应用,我想问下 具体的元器件参数计算R1 R2 R4的详细计算 以及如何保证MOS是工作在开关状态而不是放大状态 请教MOS管的开关控制如何使MOS管在电压低于2.75V时截断? 请问下有没有集成多个开关MOS管的芯片(例如4个或者8个),每个开关MOS管是分开工作的? 为什么开关电源的开关管一般是用MOS管而不晶体三极管 大二简单数电题,为什么这个MOS管处于导通状态,请详解 mos管开关电路是怎样工作的?