“N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,在S与D极之间的衬底表面上就已经形成了导电沟道” 请问它是怎么形成的

“N沟道耗尽型MOS管,在制造过程中,在S与D极之间的衬底表面上就已经形成了导电沟道” 请问它是怎么形成的 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗? 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? 模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页N沟道增强型MOS管工作在恒流区 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还 n沟道mos管有哪些 MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 有关于电子技术基础-模拟电路部分的题目解答1.整流二极管的整流作用是利用PN结的（ ）特性.2.N沟道耗尽型MOS场效应管既可以在 （ ）条件下又可以在（ ） 条件下工作.3.在乙类双电源互补 一个关于P沟道MOS管的疑问?P沟道MOS管是有两个带正电的P区,镶在一个N 型的半导体中,当S点的电位高于G点到一定程度,会产生一个垂直向上的电场,受电场作用,N型半导体中的多子电子向下运动, 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置呢?