请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列,我需要科普性质的,需要原理性的说明.

请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列,我需要科普性质的,需要原理性的说明.
请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列,
我需要科普性质的,需要原理性的说明.

请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列,我需要科普性质的,需要原理性的说明.
知道这又有什么用,你是想造LED吗,如果你是专业人士呢,但你问这个问题说明你又不是,你不是专业人士呢,那么你知道是PN结遇电发光,透明材料封装,引出正负两个引脚,这就足够了.
先进的最新的知识产权是掌握在一些专业的大公司的.

估计没人能回答的上你的问题。全国做芯片也就10几家，在说他们也不希望这些东西外泄。

我只知道封装的工艺流程：固晶 焊线 点粉 封胶 测试 电镀（之前的是半成品物） 分光 （ 之后是成品 ）

led磊晶制程：

pss基板---MOCVD---磊晶半成品---量测

中端制程：

1、有机清洗

    使用机台：wet bench；氮气枪

    1. ACE：用有机溶剂去除有机物污染

    2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况(通常污染源都是从IPA 来的)。

    3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。

    4. 吹乾：利用氮气枪吹乾晶片。

    5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。

2、去光阻

    1. ACE：用有机溶剂去除光阻

    2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况。

    3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。

    4. 吹乾：利用氮气枪吹乾晶片。

    5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。

各区简介

3、MESA 段

        1. 沉积 ITO

              使用机台：ITO 蒸镀机

                沉积物：ITO(氧化铟锡)

                规格： 3750A(倍强)，2600A(富临)

                              量测须穿透率达97% 以上，

                              阻值 10Ω以下

检查重点：是否乾净、是否有水痕或不明残留、小黑点

4、Mesa 黄光

        使用机台：Spin coater，oven，aligner

        沉积物：正光阻

        程序： 上光阻 软烤 曝光 显影检查硬烤

检查重点：切割道是否乾净、图形是否完整、光罩(产品)型号是否正确

5、MESA 蚀刻

          使用机台：wet bench

          使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)---蚀刻ITO

           条件：55℃/ 50sec

           程序： 确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查

检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整

6、乾蚀刻

                使用机台：ICP

                蚀刻深度：12000~18000A(含ITO)

7、去 PR mask 

                  使用机台：wet bench

                  使用溶液：SF-M15  (LT-420)---去除光阻

                                      硫酸+双氧水---清除有机物

                  程序： 确认温度及秒数 浸泡 放冷(5min)

                                ACE+超音波震汤IPA 水洗IPA

                                 热氮吹乾硫酸+双氧水(常温/1min)

                                水洗 检查

                  量测：α-step (稜线量测仪)

                  检查重点：ITO 表面是否有PR 残留、切割道是

                                        否乾净、图形是否完整

8、TCL 蚀刻

           使用机台：wet bench

           使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)

                                  ---蚀刻ITO

           条件：55℃/ 40sec

           程序： 确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查去光阻归盤时须区分该过的炉管

检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整、是否光阻残留

9、打线测试

                使用机台：打线机、拉力计

                程序： 打线 拉力  记录拉力克数  推金球

                              及拉掉金线吹掉金球及金线 检查 

                检查重点： pad peeling、拉力克数是否足够(须大於         

                                       8g)、是否有打不黏的情况

重要： 打线完线头及金线必须完全剔除，用氮气枪吹乾净。否则会造成晶片  研磨後厚度不均而整片报废

10、合金

                使用机台：炉管

                蚀刻深度：330 ℃/10min 

后段制程：

制程顺序：

研磨制程：上蜡→研磨→抛光→下蜡→清洗

切/劈制程：贴片→雷射切割→劈裂→翻转→扩张

点测制程：全点/抽点(确认chip光/电特性资料)

分类制程：依照光/电特性

目检制程：挑除外观不良之Chip