可以生成硅单质方程式
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/15 12:08:44
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可以生成硅单质方程式
可以生成硅单质方程式
可以生成硅单质方程式
1、热分解法:
SiH4(高温) = Si + 2H2
2、热还原法:
SiCl4 + 2H2(高温) = Si + 4HCl
最常用的获得硅单质的流程:
SiO2 + 2C + Cl2 (高温)= SiCl4 + CO 碳卤化法
SiCl4常温下是液体,很易挥发,因此可以通过蒸馏提纯;
SiCl4 + 2H2 (高温) = Si + 4HCl
SiO2+2C=高温=Si+2CO
注:C要适量,如果过量生成SiC
SiO2 + 2C = Si + 2CO↑
SiCl4 + 2H2 = Si +4HCl
SiO2+2C=Si+2CO
在工业上这样制取SI
SiO2+C===Si+CO2(粗硅)
Si+2Cl2===SiCl4
SiCl4+2H2===Si+4HCl(精)
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