简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/18 00:17:34
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体
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简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙!
谢谢了!
概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。)

简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.（ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流；反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.）
多子与少子是相对概念.
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”；空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺...

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在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）
多为掺入N或P或B
多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。

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P型半导体与N型半导体哪个导电强单一的将P型半导体、N型半导体分开,哪种半导体的导电能力强 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体 N型半导体和P型半导体的异同 n型半导体与p型半导体费米能级的差别 请问一下各位大神什么才算N型半导体,与P型半导体的区别? 什么是p型半导体,n型半导体,p 什么是p型半导体,n型半导体,p P型半导体的P是什么意思?N型半导体的N是什么意思? P型半导体的P及N型半导体的N是什么意思? 什么是N型半导体 什么是P型半导体? P型半导体是什么N 型半导体是什么? 什么是N型半导体 什么是P型半导体? 如何区别N型半导体和P型半导体 硅是P型半导体还是N型半导体? 什么是N型半导体,什么是P型半导体? 二极管上的金属丝是,P和N半导体的一种吗?还是P型半导体? 下列半导体材料热敏特性突出的是 A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体为什么? p型半导体如何形成空穴?