求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/18 06:29:29
求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.
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求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.
求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.

求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.
仙童2N7000BU/2N7000TA
FDV303N(耐压25V)

求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小. N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 线性MOS管与开关MOS管的区别开关MOS管与线性MOS管的区别,1.是不是开关MOS管的只有“开”与“关”2种状态?2.是不是线性MOS管可以利用栅极的电压大小来控制导通的比率?3.开关的MOS管是使用数字 如何把Mos管导通时电压降控制在最小.我在用FDS6890A型号N-mos,用作开关,漏极加10伏电压,栅极加0到5伏方波控制导通闭合,但是测量源极电压时候只有0到8伏的方波输出.我怎么提高Mos管效率,或者 N沟道MOS管的datasheet,VGS(th) Min:0.6V Max:1.2V 栅极电压多少管子能正常工作?管子型号:IRLML2502PbF 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E(NXP产),封装SOT32,取一只新管进行测量(未焊接、未使用),使用万用表的“二极管”档,1.红笔 绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接 N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻? 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? N mos管通电情况下,栅极和缘极短路了,是坏了吗 与MOS管栅极并联的电阻稳压管起什么作用 MOS管如何使用?1,我是这样理解的:mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以导通了?而把栅极电压提高到8V,又关闭了?2,Vdss,Id是不是SD间的最大耐受电压和电 为什么我的MOS管在栅极断电后,我的漏极还是导通我栅极和源极都没有接电阻,漏极接的10K电阻.插上电源,在没栅极没接5V电压时,测电源正极和漏极电压为0伏.接通栅极,10K电阻电压为12V,但是断 用单片机驱动MOS管,栅极电阻加多少我用89C51驱动IRF540N的场效应管.我现在电阻用的是10K,主要是怕担心栅极里的电容在放电的时候烧掉51.现在有个问题,我在插上单片机时,测量IC座Vcc和GND的电压 mos管的源极,栅极,漏极的名子是怎么来的?怎么记忆?