对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/19 21:19:38
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对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析
半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素:一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降(T的负二分之三关系);但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大(T的二分之三关系).
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故;但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好(但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低).详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素:一是晶格振动散射,二是电离杂质散射。
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降(T的负二分之三关系);但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大(T的二分之三关系)。
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故;但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作...
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半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素:一是晶格振动散射,二是电离杂质散射。
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降(T的负二分之三关系);但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大(T的二分之三关系)。
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故;但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好(但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低)。
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