如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/20 13:17:05
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
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如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L

如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
进磁场时速度和刚离开磁场速度相同,说明进磁场时,能量损失为mgd,出磁场时能量损失为mgd,共损失2mgd,刚完全进入磁场和刚完出磁场时速度相同,且最小,mg(h+d+l)-2mgd=mv`2/2,v等于跟下2g(h+L-d)

线框进入磁场之前是加速的,而完全处于磁场中时,没有感应电流,也是加速,可见刚进入磁场后应该先减速后加速,最终才可能经常速度为V0出场速度也为V0,那么进场减速的位移为相框边长L,加速的位移为d-L.,从出场逆向思考,则反向做的是加速度为g的匀减速,初速度为V0,位移为d-L,由运动学公式可知,vt2-V02=2(-g)(d-L),解得最小速度Vt=根号2g(d-L)/V0^2...

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线框进入磁场之前是加速的,而完全处于磁场中时,没有感应电流,也是加速,可见刚进入磁场后应该先减速后加速,最终才可能经常速度为V0出场速度也为V0,那么进场减速的位移为相框边长L,加速的位移为d-L.,从出场逆向思考,则反向做的是加速度为g的匀减速,初速度为V0,位移为d-L,由运动学公式可知,vt2-V02=2(-g)(d-L),解得最小速度Vt=根号2g(d-L)/V0^2

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如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L 12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方行线圈abcd边 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B;一正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m.将线框从磁场上方高h处由静止开始释放,当ab边进入 如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放, 如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放, 物理线框穿越磁场!相距均为d的的三条水平虚线L1,L2,L3,其中L1与L2,L2与L3之间分别有垂直纸面向外,向里的匀强磁场,磁感应强度大小均为B.一个边长也是d的正方形导线框abcd,从L1上方一定高处由 电磁感应定律的.2.如图所示,相距为d的两水平虚线 和 分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 如图所示L1和L2为两条平行的虚线L1上方和L2下方都是垂直纸面向外的磁感应强度相同的匀强磁场AB两点都在L1上带电粒子从A点以初速度v斜向下与L1成45度角射出经过偏转后正好过B点经过B点时 如图所示,电阻忽略不计的两根足够长平行光滑金属导轨竖直放置,其上端接一阻值为3Ω的电阻R.在水平虚线L1、L2间有一与导轨所在平面垂直的匀强磁场B,磁场区域的高度为d=0.5m.导体棒a的质量m 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 如图所示以质量为m的物体系于长度分别为L1和L2的两根细绳上,一端悬挂在天花板上,如图所示,质量为m的物体A系于两根轻弹簧l1、l2上,l 1的一端悬挂在天花板上C点,与竖直方向夹角为θ,l2水平拉