答得好加赏50水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/27 19:03:47
![答得好加赏50水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其](/uploads/image/z/9924532-52-2.jpg?t=%E7%AD%94%E5%BE%97%E5%A5%BD%E5%8A%A0%E8%B5%8F50%E6%B0%B4%E5%B9%B3%E7%9A%84%E5%B9%B3%E8%A1%8C%E8%99%9A%E7%BA%BF%E9%97%B4%E8%B7%9D%E4%B8%BAd%3D50cm%2C%E5%85%B6%E9%97%B4%E6%9C%89B%3D1T%E7%9A%84%E5%8C%80%E5%BC%BA%E7%A3%81%E5%9C%BA.%E4%B8%80%E4%B8%AA%E6%AD%A3%E6%96%B9%E5%BD%A2%E7%BA%BF%E5%9C%88%E8%BE%B9%E9%95%BF%E4%B8%BAl%3D10cm%2C%E7%BA%BF%E5%9C%88%E8%B4%A8%E9%87%8Fm%3D100g%2C%E7%94%B5%E9%98%BB%E4%B8%BA0.02%E6%AC%A7.%E5%BC%80%E5%A7%8B%E6%97%B6%2C%E7%BA%BF%E5%9C%88%E7%9A%84%E4%B8%8B%E8%BE%B9%E7%BC%98%E5%88%B0%E7%A3%81%E5%9C%BA%E7%9A%84%E4%B8%8A%E8%BE%B9%E7%BC%98%E7%9A%84%E8%B7%9D%E7%A6%BB%E4%B8%BA80cm.%E5%B0%86%E7%BA%BF%E5%9C%88%E7%94%B1%E9%9D%99%E6%AD%A2%E9%87%8A%E6%94%BE%2C%E5%85%B6)
答得好加赏50水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其
答得好加赏50
水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其下边缘刚进入磁场和刚出磁场时的速度相等.取g=10m/s^2,求:
(1) 线圈下边缘穿越磁场过程中的最小速度
(2) 线圈下边缘穿越磁场过程中加速度的最小值
答得好加赏50水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其
1.下边缘刚进入磁场时的速度V1=根号下(2gh)=4m/s.
所以刚出磁场时的速度V2=4m/s.
之所以下边缘刚进入磁场和刚出磁场时的速度相等,说明线圈下边缘刚进入磁场时,受到的安培力>其重力,线圈减速运动,直到全部进入后不再受安培力,继续做加速度为g的加速运动,刚好到下边缘刚出磁场时,加速到V2=V1.
所以,过程中的最小速度应该是线圈经过减速刚刚全部进入磁场时的速度V3=根号下(V2^2-2g(d-L))=根号8M/S.
2.线圈下边缘刚进入磁场时因受安培力而减速,所以安培力减小,加速度减小,所以最小的加速度是线圈刚好全部进入磁场时的加速度=(BL)^2*V3/R/M-g=10*(根号2-1)M/S^2
计算结果可能算错,但分析应该是没错的.