霍尔效应可解释如下:外部磁场的洛仑兹力运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成横向电场,横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力,当静
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/11 22:26:45
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霍尔效应可解释如下:外部磁场的洛仑兹力运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成横向电场,横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力,当静
霍尔效应可解释如下:外部磁场的
洛仑兹力运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成横向电场,横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力,当静电力与洛仑兹力达到平衡时,导体板上下两侧之间就会形成稳定的电势差.
设电流I是由电子和定向流动形成的,电子的平均定向速度为 v ,电量为 e 回答下列问题:
(1)达到稳定状态时,导体板上侧面A的电势 _____ 下侧面A的电势(填高于、低于或等于)
(2)电子所受的洛仑兹力的大小为 ______ .
(3)当导体板上下两侧之间的电差为U时,电子所受静电力的大小为 _____ .
(4)由静电力和洛仑兹力平衡的条件,证明霍尔系数为k=1/ne 其中 n 代表导体板单位体积中电子的个数.
霍尔效应可解释如下:外部磁场的洛仑兹力运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成横向电场,横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力,当静
(1)第一问必须知道磁场方向和粒子入射方向,通过左手定则判断电子受力方向,电子聚集的板上电势低.
(2)f=Bve
(3)F=Ue/d
(4) eU/a=Bve
I=n×e×a×dv
得:U=BI/nde,B、I、d由外界决定,k=1/ne为霍尔系数.
霍尔效应可解释如下:外部磁场的洛仑兹力运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷,从而形成横向电场,横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力,当静
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