求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/10/08 18:45:36
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