试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/20 19:42:51
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试说明CTG-1型C-V测试仪测硅外延片杂质浓度时,汞—硅接触漏电或硅片体内串联电阻对测试结果会有什么影响?
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如图6.4,当接触电流过大的话,C2两端就不能忽略,即C1两端的电压不能和电路总电压近似!导致测量结果偏大!硅片体内串联电阻偏大同样会导致测量电压偏大!
国家有色金属及电子材料分析测试中心从事硅和化合物半导体材料检测,可一次中心拥有美国Thermo Fisher公司最新型号的Element GD辉光放电质谱仪(GDMS),
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LED外延片为什么用GaN来做有一道面试题,说为什么要用GaN来做外延片,求高手来回答.
电源电压恒为9v,传感器电阻R2的电阻值随酒精浓度的增大而减小,当酒精浓度为0时、R2电阻为80欧姆,使用前调零(即滑动变阻器R1的滑片)对测试仪进行调零此时电压表示数为8v 1)求电压表示
文学作品是反映现实生活的艺术作品包括小说诗歌戏剧和散文这句话中对文学作品这一概念是()来说明的1、从内涵方面 2、仅从外延方面 3、先从内涵再从外延 4、先从外延再从内涵
(1+cos2a ) / (ctg a/2 - tg a/2)