为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?

为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? PN结的掺杂浓度是什么? 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 如何测量PN结击穿电压 不同掺杂浓度的PN结的电位差是否相同 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, 为什么气温随海拔升高而降低 为什么齐纳击穿电压随温度增高而减小? 为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电 温度升高对雪崩击穿,齐纳击穿的影响书上说温度升高,雪崩击穿电压降低,齐纳击穿电压升高,但是没有说明具体原因,百度百科也是一句话带过, 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, 哪位高手知道“合适波长的光照对PN反向击穿电压大小是否有影响或者说降低反向击穿电压? pn结会被电压还是电流击穿? 稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩