如图所示,边界是圆周的匀强磁场的直径为d,磁感应强度B.若在O处有一质量为m电荷量为q的粒子以初速度Vo必须大于________________才能穿出磁场边界,穿出边界前,在磁场中运动时间不会超过_________

如图所示,边界是圆周的匀强磁场的直径为d,磁感应强度B.若在O处有一质量为m电荷量为q的粒子以初速度Vo必须大于________________才能穿出磁场边界,穿出边界前,在磁场中运动时间不会超过_________ 匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射 如图所示,一束电荷量为e的电子以垂直于磁场感应强度B并垂直于磁场边界的速度V射入宽度为d的匀强磁场中 电子由静止开始经M、N板间(两板间的电压为U)的电场加速后从矩形匀强磁场边界AB中点垂直射入磁场中,且AB=2d,BC=d,如图所示.要使电子与磁场边界成30°的夹角离开磁场,求匀强磁场的磁感应强度 电磁感应定律的.2．如图所示,相距为d的两水平虚线 和 分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,在空间中存在垂直纸面向里的场强为B匀强磁场,其边界AB、CD的宽度为d,在左边界的Q点处有一质量为m,带电量为负q的粒子沿与左边界成30o的方向射入磁场,粒子重力不计．若带电粒子 【有答案】匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF. 一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射方 如图所示,匀强磁场中磁感应强度为B,宽度为d ,一电子从左边界垂直匀强磁场射入 电荷在匀强磁场中的运动如图所示,在真空中半径r的圆形区域内,有磁感应强度B,方向如图的匀强磁场,一束质量为m,电荷量为q的带正电的粒子以初速度v0,从磁场边界上直径ab的a端沿各个方向射 ：如图所示,空间分布着有理想边界的匀强电场和匀强磁场,左侧匀强电场的场强大小为：如图所示,空间分布着有理想边界的匀强电场和匀强磁场,左侧匀强电场的场强大小为E,方向水平向右,其 如图所示,一束带电粒子,电量的大小为1.5×10^-19C,以速度v=3.2×10^6m/s沿着垂直于磁场方向（接下）同时又垂直于磁场边界的方向射入匀强磁场中；匀强磁场的磁感应强度为B=0.17T,宽为d=10cm传出磁 如图所示,真空中有以O1为圆心的圆形匀强磁场区域,半径为R,磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向外.以圆形磁场边界圆上的最低点O为坐标原点,建立直角坐标系xOy,Oy沿磁场圆的直径方向.在x=R 如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放,