请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?如:MOS 的VGS为20V .D极电压280V 驱动Vgs>20V,S极电压85V这样可以导通?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/26 08:33:05
请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?如:MOS 的VGS为20V .D极电压280V 驱动Vgs>20V,S极电压85V这样可以导通?
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请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?如:MOS 的VGS为20V .D极电压280V 驱动Vgs>20V,S极电压85V这样可以导通?
请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?
如:MOS 的VGS为20V .D极电压280V 驱动Vgs>20V,S极电压85V这样可以导通?

请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能导通?如:MOS 的VGS为20V .D极电压280V 驱动Vgs>20V,S极电压85V这样可以导通?
N沟道MOS管(一般源极接地),只要栅源电压Vgs>Vth(通常是0.7V左右),便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道;这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流同时受Vgs和Vds控制;当Vgd=Vgs-Vds<Vth时,沟道在漏极夹断,管子进入饱和区,此时电流仅受Vgs控制(忽略沟道长度调制效应);当漏源电压Vds太大时,会发生源漏穿通,即漏极和源极连在一起,相当于发生了击穿,此时会产生很大的电流.当栅源电压Vgs太大时,也会发生击穿,即栅氧化层被击穿,此时管子失效.