电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/12 22:10:32
![电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、](/uploads/image/z/7256483-35-3.jpg?t=%E7%94%B5%E5%AD%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%9F%BA%E7%A1%80%E9%A2%98.%E5%B8%AE%E4%B8%8B%E5%B0%8F%E5%BC%9F.%E7%AC%AC48%E9%A2%98+%282.0%29+%E5%88%86+%E5%9C%A8%E6%9D%82%E8%B4%A8%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%B8%AD%2C%E5%A4%9A%E6%95%B0%E8%BD%BD%E6%B5%81%E5%AD%90%E7%9A%84%E6%B5%93%E5%BA%A6%E5%8F%96%E5%86%B3%E4%BA%8E%EF%BC%88+%EF%BC%89A%E3%80%81%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%BC%BA%E9%99%B7B%E3%80%81%E6%B8%A9%E5%BA%A6C%E3%80%81%E6%9D%82%E8%B4%A8%E6%B5%93%E5%BA%A6D%E3%80%81%E6%8E%BA%E6%9D%82%E5%B7%A5%E8%89%BA%E7%AC%AC49%E9%A2%98+%282.0%29+%E5%88%86+%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%B8%AD%E7%9A%84%E5%B0%91%E6%95%B0%E8%BD%BD%E6%B5%81%E5%AD%90%E4%BA%A7%E7%94%9F%E7%9A%84%E5%8E%9F%E5%9B%A0%E6%98%AF%28+%29A%E3%80%81)
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电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、
电子电路基础题.帮下小弟.
第48题 (2.0) 分
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
第49题 (2.0) 分
半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A、外电场
B、内电场
C、掺杂
D、热激发
第50题 (2.0) 分
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在( )
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区
电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、
第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区