电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、

电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、
电子电路基础题.帮下小弟.
第48题 (2.0) 分
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
第49题 (2.0) 分
半导体中的少数载流子产生的原因是( )
A、外电场
B、内电场
C、掺杂
D、热激发
第50题 (2.0) 分
测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在（ ）
A、放大区
B、截止区
C、饱和区
D、击穿区

电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、
第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区