光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/26 01:37:40
光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
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光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
光刻工艺主要步骤
1.基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,
2.涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜.
3.前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力.
4.对准和曝光(A＆E)
保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准,以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成.所以,涂好光刻胶后,第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准.第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上.
5.显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上.
6.后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀,胶膜与硅片表面粘附力下降.为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行,使光刻胶和晶圆表面更好地粘结,必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶.
7.刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺,主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面.
8.去除光刻胶
刻蚀之后,图案成为晶圆最表层永久的一部分.作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了,必须从表面去掉.

光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义 光学光刻技术的极限是多少 简述光刻的工艺过程（步骤） 试述光刻加工的主要阶段 蛋白质工程的流程及意义 硅片的湿法刻蚀光刻以后,想把曝光的图形刻蚀掉,怎么弄? 体细胞核移植技术核心步骤是具体哪一步?及体细胞核移植技术的意义是什么？ 打印机的 光刻工艺 奶牛繁殖的技术流程 PMC文员的主要工作职责及流程是什么 房地产项目开发流程的步骤 手机做微商的流程步骤 什么是光刻胶以及光刻胶的种类 光刻胶匀胶后为什么要去除掉边缘的光刻胶 光刻中什么i线和g线在光刻技术中,i线和g线指的是什么,波长不一样吗,还是原理? 光刻胶~光刻胶的概念是什么?光刻胶的概念是什么? 半导体工艺难题!1,现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm,根据现代光学理论,曝光光刻胶的分辨率大约等于波长.然而,现在,在45nm器件工艺中,使用的曝光光源仍然是193nm光源 为什么整个光刻步骤要在黄光照明的暗室内进行