掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化

掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 室温下,硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率?若存在,试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化） 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求 P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂 对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?（本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3） 制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂? 求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子 什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关. 半导体中的掺杂半导体分哪几种?半导体中的掺杂半导体貌似有两类,跪求这两种的名称 求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 为什么在半导体上掺杂金属离子会减小半导体的禁带宽? 半导体物理中的重掺杂的概念? 电子电路基础题.帮下小弟.第48题 (2.0) 分 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（ ）A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺第49题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( )A、 本证半导体的导电能力为什么不如掺杂半导体 ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 在N型硅半导体体中,掺杂的磷元素与硅元素相结合形成共价键,这是不是化学反应